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產(chǎn)品知識

35kv電纜半導(dǎo)體屏蔽層擊穿的原因

發(fā)布時間:2025-03-06 15:03:51 人氣:

35kV電纜半導(dǎo)體屏蔽層擊穿的根本原因在于電場分布異?;虿牧闲阅苁?,具體表現(xiàn)為局部場強超過材料耐受極限。以下是關(guān)鍵原因及其機理分析:

一、電纜頭制作工藝缺陷

應(yīng)力錐接觸不良

應(yīng)力管與半導(dǎo)體屏蔽層的接觸長度若未達(dá)到工藝要求的20-25mm(僅10-15mm),會導(dǎo)致電場集中。例如,某光伏電站的8起擊穿事故中,應(yīng)力管與屏蔽層接觸不足是主因,導(dǎo)致過渡區(qū)域電荷積累并引發(fā)放電。

典型案例:某35kV電纜終端頭因應(yīng)力管覆蓋半導(dǎo)體層,銅屏蔽層與應(yīng)力錐未有效接觸,導(dǎo)致主絕緣層在運行中逐漸碳化擊穿。

屏蔽層斷口處理不當(dāng)

半導(dǎo)體層切斷時若未形成平滑過渡(如存在臺階或毛刺),電場畸變可達(dá)正常值的2-3倍。資料顯示,未倒角的絕緣層末端易形成“尖端放電”,加速絕緣劣化。

35kv電纜半導(dǎo)體屏蔽層擊穿的原因(圖1)

二、材料性能缺陷

導(dǎo)電炭黑雜質(zhì)問題

國產(chǎn)半導(dǎo)電屏蔽料的炭黑含硫、硅等雜質(zhì)(雜質(zhì)含量高于進(jìn)口材料30%以上),導(dǎo)致體積電阻率波動(進(jìn)口料為10^0-10^2Ω·cm,國產(chǎn)料可達(dá)10^3Ω·cm),易在高壓下產(chǎn)生局部過熱。

熱縮材料密封性差

熱縮套管與電纜本體因熱膨脹系數(shù)差異,在溫差變化下易脫層形成氣隙。例如,某電站電纜頭因熱縮管縮進(jìn)1cm,水分侵入后絕緣電阻下降50%,最終擊穿。

三、機械損傷與外部環(huán)境

護套破損導(dǎo)致侵蝕

外護套損傷后,水分和化學(xué)物質(zhì)滲入半導(dǎo)體層,長期腐蝕使體積電阻率升高。例如,某鉛護套電纜因護層接地故障,鋁護套與鉛包放電蝕穿,最終引發(fā)主絕緣擊穿。

熱應(yīng)力與老化

電纜運行溫度波動(如光伏電站晝夜溫差達(dá)40℃)導(dǎo)致材料疲勞。熱縮附件因失去彈性無法“隨纜呼吸”,界面壓力下降60%以上,加速局部放電。

四、系統(tǒng)過電壓

諧振過電壓可使局部場強瞬時提升至額定值的3-5倍。某基頻諧振案例中,35kV電纜在過電壓下發(fā)生三相屏蔽層同時擊穿。

關(guān)鍵數(shù)據(jù)對比

原因類型典型電場畸變倍數(shù)材料電阻率變化范圍案例占比(%)
應(yīng)力錐接觸不良2-3倍無顯著變化45%
半導(dǎo)體層雜質(zhì)1.5-2倍10^2-10^3Ω·cm30%
護套破損/腐蝕1.2-1.8增加50%-200%15%
過電壓3-5倍無顯著變化10%

總結(jié)

半導(dǎo)體屏蔽層擊穿是工藝缺陷、材料性能、機械損傷及系統(tǒng)因素共同作用的結(jié)果。其中,應(yīng)力錐安裝不當(dāng)和屏蔽料雜質(zhì)問題是兩大主因,合計占比達(dá)75%。實際運維中需嚴(yán)格把控終端頭制作工藝(如應(yīng)力管接觸長度≥20mm、半導(dǎo)體層倒角45°),并優(yōu)先選用冷縮式附件以改善熱穩(wěn)定性。

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